帮助中心
欢迎来到厦门市中小企业公共服务平台,请 登录 | 注册 | 管理中心
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页
专利证书
  • 专利证书

[00214382]一种异质结太阳电池及其制备方法

交易价格: 10 万元

所属行业: 其他新材料技术

类型: 发明专利

技术成熟度: 可以量产

专利所属地:中国

专利号:201010213233.1

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 杨亚

进入空间

等级:

所在地:江苏常州

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法(专利号201010213233.1),特指利用带隙变化的纳米晶- 非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶- 非晶两相硅薄膜和P 型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶- 非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV),所以异质结的开路电压得到提高,另一方面,纳米晶- 非晶两相硅的带隙从1.3eV 变化到1.8eV,由于带隙是渐变的,p 型体硅和纳米晶- 非晶两相硅之间的能带缓慢变化,提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶- 非晶两相硅和极薄的n 型纳米晶- 非晶两相硅的组合,进一步降低了电子- 空穴在纳米晶- 非晶两相硅层中的复合概率,从而提高短路电流。

推荐服务:

在线客服系统